[Todos] Recordatorio próximo seminario del IFLP

[María Virginia Manias]

Estimadas/os,


Quedan todas/os invitadas/os al próximo seminario del Ciclo
de Coloquios y Seminarios 2022 del IFLP, el *martes 29 de noviembre a las
14hs*.

El mismo estará a cargo del Dr. Germán Darriba, investigador del grupo de
investigación Propiedades estructurales, electrónicas y magnéticas en
materia condensada, del IFLP.

Su charla será sobre ¨Nueva mirada de las interacciones hiperfinas
dinámicas en óxidos semiconductores. Modelización ab initio del fenómeno de
los “after-effects”, y el siguiente es un breve resumen de la misma:
*La presencia de impurezas metálicas en óxidos semiconductores y aisladores
inducen la presencia de características interesantes en la densidad
electrónica de estados dependiendo del carácter de éstas (donoras o
aceptoras) en cada sistema huésped. Particularmente,ciertos óxidos binarios
estudiados mediante la espectroscopía de las correlaciones angulares g-g
perturbadas,diferenciales en tiempo (TDPAC) utilizando la sonda
(111In®)111Cd(que generalmente es una impureza) presentan interacciones
hiperfinas (HFIs)dependientes del tiempo (en oposición a las HFIs estáticas
usuales, originadas por configuraciones electrónicas estáticas) atribuidas
al llamado “aftereffects” (AE),  el cual es un proceso de relajación
electrónica seguido al decaimiento nuclear por captura electrónica(EC) de
la sonda 111In (ECAE). Este interesante efecto se caracteriza por la
presencia de un fuerte amortiguamiento del espectro experimental (en los
primeros 10-50 ns aprox.) en función de la temperatura de manera
reversible.En esta charla presentamos un estudio de este fenómeno abordado
de forma  combinada, experimental (mediante la espectroscopía TDPAC) y ab
initio (utilizando el método FP-APW+lo en el marco de DFT), investigando la
dependencia con la temperatura de las HFIs en SnO2y SnO dopados con
111In(EC)®111Cd.El fin de esta elección es tener a) el caso en que la
impureza actúa en forma aceptora (SnO2 dopado con Cd) generando en
principio 2 huecos electrónicos, y b) el caso en que ésta es isovalente al
catión reemplazado (SnO dopado con Cd) que en principio no introduce huecos
electrónicos en la banda de valencia del semiconductor, y de esta forma
evaluar la necesidad de la existencia de un nivel aceptor para la
existencia de este fenómeno dinámico. Finalmente proponemos un modelo,
soportado por los cálculos ab initio, que da cuenta del origen de las HFI
dinámicas observadas, así como las condiciones que deben cumplir los
sistemas impurezas-huésped para que esto ocurra. Particularmente proponemos
(y a diferencia de lo que se pensaba históricamente) que es posible
observar estos fenómenos en sondas que no decaigan por EC, analizando las
condiciones que deben cumplir los núcleos sonda involucrados. *

El seminario tendrá lugar en el auditorio del IFLP, sito en la diagonal 113
entre 63 y 64..

Para quienes no puedan asistir en forma presencial tendrán la opción de
seguirla por el canal de youtube del instituto

https://www.youtube.com/channel/UC5TjsUrIuVU6BobUdIFyHAg



Esperamos contar con su participación.



Cordialmente,

Virginia Manías

Secretaria Científica del IFLP


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